電子元件發(fā)展的形式不可小瞧,綜合市場調(diào)研經(jīng)驗,
正航儀器預計:到2015年,我國電子元器件總產(chǎn)量將達到5萬億只,銷售收入達到5萬億元,阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到50%,國內(nèi)市場占有率達到70%。預計2010年中國半導體市場規(guī)模約800億美元,年增率約17%,中國消費電子市場2010年銷售收入達178億美元,比2009年增長16.3%,預計2015年車用元器件價值將增加一倍。
根據(jù)“十二五”規(guī)劃,半導體照明工程到2015年芯片國產(chǎn)化率將達70%,產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到5000億元,相關企業(yè)面臨著巨大商機。在《國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“十二五”規(guī)劃思路》專題報告中指出,新材料“十二五”規(guī)劃從技術導向轉為以產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟需求為牽引,圍繞“應對金融危機、推進綠色制造、支撐產(chǎn)業(yè)升級”的思路,推進基礎性重點原材料產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整與升級。
電子電力器件(electronicpowerdevice)又稱為功率半導體器件,是用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。又稱功率電子器件。20世紀50年代,電子電力器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管,因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快,而在電力電子電路中得到廣泛應用。70年代初期,已逐步取代了汞弧閘流管。80年代,普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安,能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發(fā)展的需要,又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、可控硅整流器(scr)、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型mos功率場效應晶體管、igbt、雙極型功率晶體管(gtr)、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。

半導體照明工程到2015年芯片國產(chǎn)化率將達70%,形成百億元以上芯片企業(yè)與百億元以上應用企業(yè)體系,實現(xiàn)年節(jié)約用電1000億度,產(chǎn)業(yè)規(guī)模5000億元。在先進顯示領域,2015年國內(nèi)將形成激光顯示技術和產(chǎn)業(yè)體系,構建OLED大規(guī)模生產(chǎn)線體系,顯示共性技術和配套材料將帶動6000億至8000億元產(chǎn)業(yè)鏈。高性能電池方面,將攻克關鍵技術,開發(fā)大戰(zhàn)略產(chǎn)品和技術系統(tǒng),形成網(wǎng)絡化的戰(zhàn)略產(chǎn)品技術群與核心專利池,構建高端電池研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地,2015年力爭實現(xiàn)高性能電池(材料)產(chǎn)業(yè)規(guī)模千億元以上。稀土功能材料方面,產(chǎn)值規(guī)模將達500億元,高端稀土功能材料5年總產(chǎn)量達100萬噸,帶動相關行業(yè)產(chǎn)值1.5萬億元以上。
“低碳經(jīng)濟”被炒得非?;饎?,低碳經(jīng)濟主要表現(xiàn)在能源方面,做為發(fā)展中國家的我國,能源需求日益增長,與此同時,改變落后的能耗,挖掘節(jié)能的潛力,任務也很繁重?,F(xiàn)狀是:我國獲得1美元產(chǎn)值的能耗,相當于法國的5倍、日本的4.5倍、巴西的3.8倍、美國的2.1倍。不改變這種狀況,不抓節(jié)能,不切實提高能源效率,是不能迅速改變我國工業(yè)生產(chǎn)面貌的。所以國家對電子電力器件以及聲表面波(saw)器件市場的開發(fā)研究也加大了力度。
各種電子電力器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件??申P斷晶閘管、功率晶體管等器件,其門極信號既能控制器件的導通,又能控制其關斷,稱全控型器件。后兩類器件控制靈活,電路簡單,開關速度快,廣泛應用于整流、逆變、斬波電路中,是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核心部件。這些器件構成裝置不僅體積小、工作可靠,而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%~40%)。
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